Оперативная память Ballistix BLE4G4D30AEEA - технические характеристики

Все параметры Оперативная память Ballistix BLE4G4D30AEEA

Наименование параметра Значение
Радиатор есть
Напряжение питания 1.35 В
Row Precharge Delay (tRP) 16
RAS to CAS Delay (tRCD) 16
CAS Latency (CL) 15
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Буферизованная (Registered) нет
Поддержка XMP есть
Поддержка ECC нет
Объем 1 модуль 4 ГБ
Пропускная способность 24000 МБ/с
Тактовая частота 3000 МГц
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тип памяти DDR4
^ наверх
Яндекс.Метрика