Оперативная память Ballistix BLT2C4G4D30AETA - технические характеристики

Все параметры Оперативная память Ballistix BLT2C4G4D30AETA

Наименование параметра Значение
Радиатор есть
Напряжение питания 1.35 В
Row Precharge Delay (tRP) 16
RAS to CAS Delay (tRCD) 16
CAS Latency (CL) 15
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Буферизованная (Registered) нет
Поддержка ECC нет
Объем 2 модуля по 4 ГБ
Пропускная способность 24000 МБ/с
Тактовая частота 3000 МГц
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тип памяти DDR4
^ наверх
Яндекс.Метрика