Оперативная память Kingston KHX1600C10D3B1/8G - технические характеристики

Все параметры Оперативная память Kingston KHX1600C10D3B1/8G

Наименование параметра Значение
Количество ранков 2
Радиатор есть
Напряжение питания 1.65 В
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Row Precharge Delay (tRP) 10
RAS to CAS Delay (tRCD) 10
CAS Latency (CL) 10
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Буферизованная (Registered) нет
Поддержка ECC нет
Объем 1 модуль 8 ГБ
Пропускная способность 12800 МБ/с
Тактовая частота 1600 МГц
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тип памяти DDR3
^ наверх
Яндекс.Метрика