Оперативная память Samsung DDR4 2133 Registered ECC DIMM 16Gb - технические характеристики

Все параметры Оперативная память Samsung DDR4 2133 Registered ECC DIMM 16Gb

Наименование параметра Значение
Количество ранков 2
Напряжение питания 1.2 В
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Row Precharge Delay (tRP) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
CAS Latency (CL) 15
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Буферизованная (Registered) да
Поддержка ECC есть
Объем 1 модуль 16 ГБ
Пропускная способность 17000 МБ/с
Тактовая частота 2133 МГц
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тип памяти DDR4
^ наверх
Яндекс.Метрика